日前，英飛凌宣布與中國的新能源汽車充電市場企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。

　　SiC技術相比傳統(tǒng)的硅技術可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和運營成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節(jié)省1 kWh電能，每年節(jié)省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率器件在電動汽車充電模塊中的應用。

　　作為最早將溝槽柵技術用于晶體管的SiC功率半導體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些器件具有高閾值電壓，并簡化了柵極驅(qū)動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及柵極電壓跳變應力試驗，并在上市后定期進行監(jiān)控，以確保擁有最高柵極可靠性。

　　通過采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠?qū)崿F(xiàn)寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數(shù)電動汽車的快速充電需求，還能實現(xiàn)比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達到全球領先水平。

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